課程(名稱.編號)簡索

領導藝術.綜合管理        人力資源.企業培訓        職務能力培訓系統班        銷售實戰.市場行銷        職場技能.個人成長        Office白領辦公達人        財經金融.投資理財        語言學習.出國留學        中國大陸證照培訓        資格考試.考証培訓        文化.生活.興趣.保健        生產管理.採購物流        移動開發        前端開發        後端開發        數據庫.服務器        網頁平面設計        雲計算.大數據        網絡營銷推廣        自然學科        工程技術學科

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醫.藥.農.林學科

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文學.藝術學科

教育社會學科

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醫藥農林        哲學歷史        文學藝術        工程技術        基礎科學        經管法學

     微電子工藝是一門介紹半導體集成電路製造技術的課程。我們每個人身邊都會有幾件電子產品，如電子鑰匙、手機、平板電腦等，它們的核心部件都是集成電路芯片，通過本課程的學習能使大家瞭解這些芯片是如何做出來的，為什麼隨著它們性能的飛速提高，體積卻能夠越來越小，價格也能不斷降低。

課程概述

     本課程是「電子信息科學與技術」、「微電子科學與工程」等專業的核心課程。全面系統地介紹了微電子工藝基礎知識，重點闡述了芯片製造單項工藝，包括：外延、熱氧化、擴散、離子注入、化學汽相澱積、物理汽相澱積、光刻、刻蝕。還介紹了金屬互連、典型工藝集成、關鍵工藝設備，以及微電子工藝未來發展趨勢。通過本課程的學習能使學生對微電子工藝技術有全面瞭解，為後續專業課程學習打下堅實基礎。也利於學生專業素養的提高。

本課程特色在於對關鍵工藝所依托的理化基礎知識進行了闡述，並通過實驗視頻對關鍵工藝參數測試技術也進行了介紹。



授課目標

使學習者掌握微電子關鍵工藝的基本原理、方法、用途；熟悉主要工藝設備及檢測儀器；瞭解典型集成電路芯片的製造流程。




課程大綱


第1章 緒論與硅片的制備

「硅片的制備」是介紹由石英砂到硅片的整個制備過程。學習本章你可對微電子產品的最常用襯底材料硅片有深入瞭解。

緒論
1、 微電子工藝是講什麼的？
2、 微電子工藝的發展歷程如何？
3、 微電子工藝有什麼特點？
4、半導體單晶硅有什麼特性？
第1章 硅片的制備
1.1 多晶硅制備
1.2 單晶生長
1.3 硅片制備

第001講 0.1.1 微電子工藝是講什麼的 → 00:05:00
第002講 0.2.1 微電子工藝的發展歷程如何 → 00:07:16
第003講 0.3.1 微電子工藝有什麼特點 → 00:05:37
第004講 0.4.1 單晶硅特性(上) → 00:08:55
第005講 0.4.2 單晶硅特性(中) → 00:06:20
第006講 0.4.3 單晶硅特性(下) → 00:07:48
第007講 1.1.1 多晶硅制備1.2單晶生長-CZ法 → 00:06:57
第008講 1.2.1 單晶生長-原理 → 00:05:00
第009講 1.2.2 單晶生長-摻雜 → 00:09:30
第010講 1.2.3 單晶生長-MCZ與FZ法 → 00:06:35
第011講 1.5.1 硅片制備 - 硅片的加工 → 00:05:20
第012講 1.5.2 硅片制備 - 硅片介紹 → 00:01:45


第2章 外延

「外延」是在單晶襯底上制備單晶層的工藝。學習本章你可瞭解外延工藝的目的、用途，掌握VPE、MBE工藝原理、方法。

2.1 外延概述
2.2 汽相外延
2.3 分子束外延
2.4 其它外延方法
2.5 外延層缺陷及檢測

第013講 2.1.1 外延概述 → 00:07:07
第014講 2.2.1 氣相外延-1硅工藝 → 00:06:51
第015講 2.2.2 氣相外延-2原理 → 00:06:20
第016講 2.2.3 氣相外延-3速率 → 00:07:40
第017講 2.2.4 氣相外延-4摻雜 → 00:07:26
第018講 2.2.5 氣相外延-5設備與技術 → 00:06:39
第019講 2.3.1 分子束外延 → 00:05:41
第020講 2.4.1 其它外延方法 → 00:07:40
第021講 2.5.1 外延層缺陷及檢測 → 00:07:43
第022講 2.5.2 外延層缺陷及檢測 - 電阻率測量 → 00:01:56


第3章 熱氧化

「熱氧化」是硅片被氧化，在表面生成氧化層的工藝。學習本章你可瞭解氧化層用途、硅氧化機理、氧化速率影響因素，掌握工藝方法、設備、質檢技術。

3.1 二氧化硅薄膜概述
3.2 硅的熱氧化
3.3 初始氧化階段及薄氧化層制備
3.4 熱氧化過程中的雜質再分佈
3.5 氧化層的質量及檢測
3.6 其它氧化方法

第023講 3.1.1 二氧化硅薄膜概述 - 概述-1性質與用途 → 00:04:30
第024講 3.1.2 二氧化硅薄膜概述 - 概述-2雜質與掩蔽 → 00:05:05
第025講 3.2.1 硅熱氧化-1工藝 → 00:06:03
第026講 3.2.2 硅的熱氧化-2機理 → 00:02:19
第027講 3.2.3 硅的熱氧化-3DG模型 → 00:04:20
第028講 3.2.4 硅的熱氧化-4速率 → 00:04:16
第029講 3.2.5 硅熱氧化-5影響因素 → 00:05:32
第030講 3.3.1 初始氧化階段及薄氧化層制備 - 初始氧化 → 00:02:58
第031講 3.4.1 熱氧化過程中的雜質再分佈 - 1分凝 → 00:04:47
第032講 3.4.2 熱氧化過程中的雜質再分佈 - 2硅表面濃度 → 00:03:00
第033講 3.5.1 氧化層檢測-1厚度 → 00:04:02
第034講 3.5.2 氧化層檢測-2成膜質量 → 00:05:08
第035講 3.5.3 氧化層的質量及檢測 - 氧化層厚度估測實驗 → 00:03:10
第036講 3.6.1 其它氧化方法 → 00:03:23


第4章 擴散

「擴散」是一種在硅中摻入雜質改變其電學特性的工藝。學習本章可使你瞭解擴散機理，影響雜質分佈因素，掌握工藝方法和質檢技術。4學時

4.1 擴散機構
4.2 晶體中擴散的基本特點及宏觀動力學方程
4.3 雜質的擴散摻雜
4.4 熱擴散工藝中影響雜質分佈的其他因素
4.5 擴散工藝條件與方法
4.6 擴散工藝質量與檢測
4.7 擴散工藝的發展

第037講 4.1.1 擴散機構 → 00:05:56
第038講 4.2.1 擴散方程-1菲克定律 → 00:04:00
第039講 4.2.2 擴散方程-2擴散係數 → 00:04:43
第040講 4.3.1 擴散摻雜-1恆定源 → 00:03:53
第041講 4.3.2 擴散摻雜-2限定源 → 00:05:40
第042講 4.4.1 影響雜質分佈因素-1點缺陷 → 00:03:47
第043講 4.4.2 影響雜質分佈因素-2氧化增強 → 00:03:15
第044講 4.4.3 影響雜質分佈因素-3發射區推進 → 00:03:47
第045講 4.5.1 擴散條件與方法-1方法選擇 → 00:06:13
第046講 4.5.2 擴散條件與方法-2擴散工藝 → 00:05:56
第047講 4.6.1 質檢與測量-1結深 → 00:03:48
第048講 4.6.2 質檢與測量-2表面濃度 → 00:06:21
第049講 4.6.3 質量與檢測 - pn結結深測量實驗 → 00:03:06
第050講 4.7.1 擴散工藝的發展 → 00:02:29


第5章 離子注入

「離子注入」是一種在硅片中精準摻雜的工藝。學習本章可使你瞭解離子注入原理、雜質分佈的影響因素、晶格損傷。掌握注入工藝和退火方法。

5.1 概述
5.2 離子注入原理
5.3 注入離子在靶中的分佈
5.4 注入損傷
5.5 退火
5.6 離子注入設備與工藝
5.7 離子注入的其它應用
5.8 離子注入與熱擴散比較及摻雜新技術

第051講 5.1.1 離子注入概述 → 00:03:21
第052講 5.2.1 離子注入原理-1 → 00:02:15
第053講 5.2.2 離子注入原理-2 → 00:05:35
第054講 5.2.3 離子注入原理-3 → 00:04:02
第055講 5.3.1 注入離子分佈-1,2分佈 → 00:05:34
第056講 5.3.2 注入離子分佈-3溝道效應 → 00:06:15
第057講 5.3.3 注入離子分佈-4其它影響 → 00:02:55
第058講 5.4.1 注入損傷-1 → 00:02:58
第059講 5.4.2 注入損傷-2 → 00:03:22
第060講 5.5.1 退火-1熱退火 → 00:06:16
第061講 5.5.2 退火-2快速退火 → 00:05:10
第062講 5.6.1 設備與工藝 → 00:06:44
第063講 5.7.1 應用 → 00:05:41
第064講 5.8.1 摻雜新技術 → 00:05:27


第6章 化學汽相澱積

學習本章可使你瞭解以化學氣相澱積（CVD）工藝進行微電子常用薄膜的制備技術。掌握LPCVD、PECVD等工藝特點，SiO2、Poly-Si薄膜的製法與用途。

6.1 CVD概述
6.2 CVD工藝原理
6.3 CVD工藝方法
6.4 二氧化硅薄膜的澱積
6.5 氮化硅薄膜澱積
6.6 多晶硅薄膜的澱積
6.7 CVD金屬及金屬化合物薄膜

第065講 6.1.1 CVD概述 → 00:04:50
第066講 6.2.1 CVD原理-1過程 → 00:04:04
第067講 6.2.2 CVD原理-2速率 → 00:08:25
第068講 6.2.3 CVD原理-3質量 → 00:08:30
第069講 6.3.1 CVD工藝方法-1AP-2LP → 00:05:46
第070講 6.3.2 CVD工藝方法-3等離子體(上 → 00:07:36
第071講 6.3.3 CVD工藝方法-3等離子體(下 → 00:03:38
第072講 6.3.4 CVD工藝方法-4PE-5HDP → 00:06:42
第073講 6.4.1 二氧化硅薄膜-1性質 → 00:07:13
第074講 6.4.2 二氧化硅薄膜-2制備 → 00:04:06
第075講 6.5.1 氮化硅薄膜 → 00:08:20
第076講 6.6.1 多晶硅薄膜 → 00:07:08
第077講 6.7.1 CVD金屬及金屬化合物薄膜 → 00:08:10


第7章 物理汽相澱積

學習本章可使你瞭解以物理氣相澱積（PVD）工藝進行微電子常用金屬薄膜的制備技術。掌握真空蒸鍍、濺射工藝特點，金屬類薄膜的製法與用途。

7.1 PVD概述
7.2 真空系統及真空的獲得
7.3 真空蒸鍍
7.4 濺射
7.5 PVD金屬及化合物薄膜

第078講 7.1.1 PVD-1概述 → 00:03:55
第079講 7.2.2 PVD-1真空簡介 → 00:03:06
第080講 7.2.3 PVD-2真空的獲得 → 00:06:34
第081講 7.3.1 蒸鍍-1原理 → 00:06:23
第082講 7.3.2 蒸鍍-2設備、工藝 → 00:07:06
第083講 7.3.3 蒸鍍-3質量 → 00:04:55
第084講 7.4.1 濺射-1原理 → 00:05:31
第085講 7.4.2 濺射-2方法 → 00:07:01
第086講 7.4.3 濺射-3質量 → 00:05:10
第087講 7.5.1 PVD金屬及化合物薄膜 → 00:09:48


第8章 光刻工藝

光刻是在硅襯底上形成器件或電路結構圖形的工藝。學習本章你應掌握光刻工藝流程，提高光刻分辨率方法。瞭解光刻膠、光刻板和主要光刻設備。

8.1 光刻概述
8.2 基本光刻工藝流程
8.3 光刻掩膜板製造技術
8.4 光刻膠
8.5 紫外曝光技術
8.6 光刻增強技術
8.7 其它曝光技術
8.8 光刻新技術展望

第088講 8.1.1 光刻概述 → 00:12:44
第089講 8.2.1 基本光刻工藝流程 - 光刻技術xiugaizhonggao → 00:15:34
第090講 8.3.1 光刻掩膜板製造技術 → 00:12:03
第091講 8.3.2 光刻膠 → 00:12:00
第092講 8.3.3 紫外曝光技術 → 00:07:41
第093講 8.3.4 光刻增強技術 → 00:12:58
第094講 8.3.5 其它曝光技術(1) → 00:04:12
第095講 8.3.5 其它曝光技術(2) → 00:08:44
第096講 8.3.6 光刻新技術展望 → 00:06:34


第9章 刻蝕技術

學習本章你應掌握微電子器件和電路常用薄膜材料的化學腐蝕、等離子刻蝕工藝。瞭解主要干法刻蝕機理、設備。

9.1 概述
9.2 濕法刻蝕技術
9.3 干法刻蝕技術
9.4 SiO2薄膜的干法刻蝕技術
9.5 多晶硅等其它薄膜的干法刻蝕技術

第097講 9.1.1 刻蝕技術--概述 → 00:09:54
第098講 9.2.1 濕法刻蝕技術 → 00:17:42
第099講 9.3.1 刻蝕技術--干法刻蝕技術 → 00:12:36
第100講 9.3.2 刻蝕技術--SiO2薄膜的干法刻蝕技術 → 00:10:57
第101講 9.3.3 刻蝕技術--多晶硅等其它薄膜的干法刻蝕技術 → 00:09:24


第10章 典型工藝集成

學習本章你應瞭解鋁、銅金屬化系統的制備，集成電路隔離技術，以及CMOS電路、雙極型電路的工藝集成。

10.1 金屬化與多層互連
10.2 集成電路中的隔離技術
10.3 CMOS集成電路的工藝集成
10.4 雙極型集成電路的工藝集成

第102講 10.1.1 工藝集成--金屬化與多層互連 → 00:12:15
第103講 10.1.2 工藝集成--金屬化之尖楔現象 → 00:11:52
第104講 10.2.1 工藝集成--集成電路中的隔離技術 → 00:16:33
第105講 10.3.1 CMOS集成電路的工藝集成 → 00:13:55
第106講 10.4.1 雙極型集成電路的工藝集成 → 00:08:40